【導(dǎo)讀】基于 STM32H573 單片機(jī)的工業(yè) PLC 產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中，I2C 通信接口的穩(wěn)定性至關(guān)重要。然而，近期某客戶在將上一代產(chǎn)品遷移至新平臺(tái)時(shí)遭遇了令人困惑的故障：沿用成熟的 I2C4 通信協(xié)議，當(dāng)引腳從 PB6/PB7 切換至 PG6/PG7，且 GPIO 速率設(shè)置為高速（VERY_HIGH）時(shí)，通信完全失效，SCL/SDA 引腳無(wú)法拉高至正常電平；而降速至低速模式雖能勉強(qiáng)通信，卻伴隨嚴(yán)重波形毛刺。經(jīng)過(guò)深入的實(shí)測(cè)驗(yàn)證與數(shù)據(jù)手冊(cè)（DS14121）及參考手冊(cè)（RM0481）的交叉比對(duì)，最終鎖定問(wèn)題根源并非硬件電路或軟件配置錯(cuò)誤，而是 STM32H5 系列特有的 HSLV（高速低電壓）模式在 3.3V 供電場(chǎng)景下的誤啟用。
資料獲?。篠TM32H573使能HSLV引起I2C4失效的案例分析
1. 故障現(xiàn)象與環(huán)境背景
1.1 核心故障表現(xiàn)
引腳配置：I2C4 使用 PG6（SDA）、PG7（SCL），外部串聯(lián) 4.7k 上拉電阻，供電電壓 3.3V；
速率依賴：GPIO 速率設(shè)為GPIO_SPEED_FREQ_VERY_HIGH時(shí)，I2C4 完全失效，SCL/SDA 引腳僅輸出 20mV（無(wú)法拉高）；
異常特例：速率設(shè)為GPIO_SPEED_FREQ_LOW時(shí)通信恢復(fù)，但波形存在毛刺干擾；
歷史對(duì)比：上一代產(chǎn)品使用 PB6/PB7 引腳（同 I2C4 功能），無(wú)論高低速率均正常通信。
1.2 硬件環(huán)境
主控芯片：STM32H573IIK6TR；
電路配置：3.3V 供電，I2C 總線外部 4.7k 上拉電阻；
軟件版本：基于 STM32 標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)開(kāi)發(fā)，I2C 配置符合常規(guī)規(guī)范（開(kāi)漏輸出 + 上拉電阻）。
2. 故障根源：HSLV 模式與引腳屬性不匹配
2.1 引腳屬性差異：PG6/PG7 vs PB6/PB7
查閱 STM32H573 數(shù)據(jù)手冊(cè)（DS14121）發(fā)現(xiàn)，兩組引腳的 GPIO 屬性存在關(guān)鍵區(qū)別：
PB6/PB7：屬性為 FT_f，支持 5V 容忍，無(wú) HSLV 模式；
PG6/PG7：屬性為 FT_fh，額外支持_h特性 —— 即高速低電壓模式（HSLV）。
2.2 HSLV 模式的核心特性與使用限制
根據(jù) STM32H5 參考手冊(cè)（RM0481）定義，HSLV 模式是為低電壓場(chǎng)景設(shè)計(jì)的 IO 性能優(yōu)化功能：
功能作用：HSLV=1 時(shí)，IO 輸出速度優(yōu)化適配 1.8V 供電；HSLV=0 時(shí)（默認(rèn)），適配 3.3V 供電；
嚴(yán)格限制：當(dāng) IO 供電電壓（VDD/VDDIO2）＞2.7V 時(shí)，絕對(duì)禁止啟用 HSLV 模式，否則會(huì)導(dǎo)致 IO 輸出異常甚至芯片損壞；
電壓規(guī)范：HSLV 啟用時(shí)，IO 供電電壓最大不得超過(guò) 2.75V（典型值 1.8V）。
2.3 故障邏輯鏈
客戶系統(tǒng)供電為 3.3V（遠(yuǎn)超 2.7V 閾值），但 PG6/PG7 引腳的 HSLV 模式被誤啟用，導(dǎo)致：
高速模式（VERY HIGH）下，IO 輸出級(jí)電路因電壓不匹配無(wú)法正常驅(qū)動(dòng)，SCL/SDA 無(wú)法拉高（僅 20mV）；
低速模式（LOW）下，驅(qū)動(dòng)能力勉強(qiáng)達(dá)標(biāo)，但電路工作在非優(yōu)化狀態(tài)，出現(xiàn)毛刺干擾。
3. 解決方案：分兩步徹底解決問(wèn)題
3.1 核心操作：關(guān)閉 HSLV 模式（選項(xiàng)字配置）
HSLV 模式通過(guò) FLASH 選項(xiàng)字控制，需在 STM32CubeProgrammer 中修改配置：
連接仿真器與開(kāi)發(fā)板，打開(kāi) STM32CubeProgrammer；
進(jìn)入 “Option Bytes” 配置界面，找到 I/O 相關(guān)選項(xiàng)：
禁用IO_VDD_HSLV（VDD 域 IO 高速低電壓模式）；
禁用IO_VDDIO2_HSLV（VDDIO2 域 IO 高速低電壓模式）；
點(diǎn)擊 “Apply” 保存配置，重啟開(kāi)發(fā)板使設(shè)置生效。
3.2 輔助優(yōu)化：濾除低速模式毛刺
當(dāng) GPIO 速率設(shè)為 LOW 時(shí)出現(xiàn)的波形毛刺，屬于正?，F(xiàn)象：
毛刺成因：從設(shè)備釋放 SDA 總線時(shí)，上拉電阻瞬間拉高電壓，而主機(jī)快速接管總線拉低，形成短暫電平波動(dòng)；
規(guī)范兼容性：I2C 協(xié)議允許 SCL 低電平時(shí) SDA 電平變化，從設(shè)備僅在 SCL 高電平時(shí)采樣 SDA 信號(hào)，毛刺不影響通信正確性；
優(yōu)化方案：?jiǎn)⒂?I2C 外設(shè)的模擬濾波功能（通過(guò)I2C_InitStruct.FilterCfg配置），可有效濾除毛刺干擾。
4. 關(guān)鍵原理補(bǔ)充：HSLV 模式工作機(jī)制
4.1 設(shè)計(jì)初衷
HSLV 模式專為低電壓（1.08V~2.7V）場(chǎng)景設(shè)計(jì)，通過(guò)優(yōu)化 IO 輸出級(jí)電路，提升低速供電下的信號(hào)切換速度，常見(jiàn)于電池供電類便攜設(shè)備。
4.2 電壓沖突本質(zhì)
STM32H573 的 IO 輸出級(jí)采用雙 MOS 管推挽結(jié)構(gòu)（開(kāi)漏模式下禁用上管），HSLV 模式啟用后，輸出級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓被限定在 1.8V 左右：
3.3V 供電時(shí)，MOS 管閾值電壓不匹配，導(dǎo)致上拉電阻無(wú)法有效拉高電平；
高速模式下，驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)關(guān)速度加快，沖突加劇，直接導(dǎo)致輸出失效；
低速模式下，驅(qū)動(dòng)電流減小，沖突緩解，通信可勉強(qiáng)進(jìn)行但存在干擾。
5. 避坑指南：STM32H5 系列 I2C 應(yīng)用關(guān)鍵要點(diǎn)
引腳選型：優(yōu)先選擇無(wú) HSLV 屬性（無(wú)_h標(biāo)記）的引腳（如 PB6/PB7、PC0/PC1 等），避免 PG6/PG7、PH4/PH5 等 FT_fh 類引腳；
供電匹配：若必須使用 HSLV 引腳，需確保 IO 供電電壓≤2.7V，且明確啟用 HSLV 模式；
選項(xiàng)字核查：新板卡量產(chǎn)前，務(wù)必檢查 FLASH 選項(xiàng)字，默認(rèn)禁用 HSLV 相關(guān)配置；
速率配置：根據(jù)實(shí)際需求選擇 GPIO 速率，I2C 通信建議使用GPIO_SPEED_FREQ_MEDIUM，平衡速度與穩(wěn)定性；
波形驗(yàn)證：遇到通信異常時(shí)，優(yōu)先用示波器測(cè)量 SCL/SDA 電平（正常空閑狀態(tài)應(yīng)為 3.3V 高電平），快速定位驅(qū)動(dòng)問(wèn)題。
STM32H573 I2C4 失效的核心原因是HSLV 模式與 3.3V 供電的不兼容，PG6/PG7 引腳的 FT_fh 屬性使其默認(rèn)支持 HSLV 模式，而客戶未關(guān)注電壓限制誤啟用該功能，導(dǎo)致 IO 輸出級(jí)工作異常。通過(guò)關(guān)閉 HSLV 選項(xiàng)字配置，即可徹底解決通信故障，再配合 I2C 模擬濾波優(yōu)化波形，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定通信。
此類問(wèn)題的排查關(guān)鍵在于重視引腳屬性與功能模式的匹配，開(kāi)發(fā)前需仔細(xì)研讀數(shù)據(jù)手冊(cè)中 GPIO 特性說(shuō)明，避免因功能模式誤用導(dǎo)致的隱性故障。
