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新型方法進(jìn)行高阻抗檢測(cè)
準(zhǔn)確測(cè)量電壓需要減少檢測(cè)儀器零部件的影響,與傳統(tǒng)的不同,本文主要是通過(guò)LTC60090來(lái)描述高電壓CMOS放大器利用單個(gè)IC來(lái)實(shí)現(xiàn)高阻抗檢測(cè)的方法。
2013-05-30
CMOS LTC6090 高阻抗檢測(cè)
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性能穩(wěn)定的恒壓電能收集充電器設(shè)計(jì)
收集電能是控制方式最為簡(jiǎn)單,初期充電速度最快的恒壓充電方式,本文的設(shè)計(jì)主電路部分采用MC34063開(kāi)關(guān)型電源芯片,控制電路部分采用ATmega16低功耗單片機(jī),實(shí)現(xiàn)了性能穩(wěn)定、具有參考價(jià)值的電能收集充電器設(shè)計(jì)。
2013-05-30
充電器 電源 單片機(jī) 電能 MC34063
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選擇低EMI電源需要了解的幾大要素
設(shè)計(jì)工程師們正在面臨著設(shè)計(jì)EMI兼容產(chǎn)品的挑戰(zhàn),而對(duì)開(kāi)關(guān)模式穩(wěn)壓器中的EMI干擾源和場(chǎng)強(qiáng)因子有所了解將幫助工程師們選擇最佳的組件,本文將從EMI輻射源及EMI的抑制進(jìn)行講解以幫助設(shè)計(jì)者降低設(shè)備中的電磁輻射。
2013-05-30
EMI 電源 設(shè)計(jì) 模塊 Linear
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“易配”我們一起追過(guò)的那種產(chǎn)品
因?yàn)楣静少?gòu)需要,我每次去市場(chǎng)采購(gòu)元器件的時(shí)候都找的眼花繚亂,走的腰酸腿疼。前幾天去中發(fā)電子市場(chǎng)看到他們?cè)跇窍掳l(fā)刊物和宣傳單頁(yè)就拿了一份,發(fā)現(xiàn)他們新推出了一個(gè)叫“易配”的產(chǎn)品,可以幫助采購(gòu)商完整的配單,為了驗(yàn)證這個(gè)產(chǎn)品是否可靠,我用手機(jī)搜索了一下要采購(gòu)的幾款產(chǎn)品,還真的是都找到...
2013-05-26
易配
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美高森美推出溫度范圍40至85℃超低功耗射頻產(chǎn)品
近日,美高森美推出具有擴(kuò)展溫度和頻率范圍的超低功耗Sub-GHz射頻產(chǎn)品ZL70251,支持工業(yè)工作溫度且可以用于無(wú)需授權(quán)的779-965 megahertz (MHz) 頻段,擴(kuò)大了產(chǎn)品的應(yīng)用區(qū)域。
2013-05-24
美高森美 射頻 ZL70251 工業(yè)
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飛思卡爾新推高性能Xtrinsic加速傳感器
飛思卡爾半導(dǎo)體推出的FXLC95000CL Xtrinsic智能傳感器可降低系統(tǒng)功耗、提高性能。作為一個(gè)傳感器融合平臺(tái),它集成了板載加速度傳感器,能夠管理多個(gè)外部傳感器。結(jié)合MUC技術(shù)更好的簡(jiǎn)化傳感器融合。
2013-05-24
飛思卡爾 XTRINSIC 傳感器 集線器
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Molex推出支持航天國(guó)防網(wǎng)絡(luò)連接的Brad Nano-Change連接器
近日,Molex推出緊湊型Brad Nano-Change (M8)連接器產(chǎn)品,支持具有挑戰(zhàn)性的工業(yè)自動(dòng)化、航天與國(guó)防領(lǐng)域的網(wǎng)絡(luò)連接性,新型連接器的鍍金銅合金觸點(diǎn)和磷青銅插座確??煽康牡碗娮栊阅埽以诰o湊空間中提供穩(wěn)固的性能,通過(guò)簡(jiǎn)化維護(hù)和安裝,最大限度地減少了停機(jī)時(shí)間和配線。
2013-05-22
Molex 連接器
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Molex推出業(yè)內(nèi)最低的底座面高僅1.10mm存儲(chǔ)器技術(shù)
近日,Molex公司推出空氣動(dòng)力型DDR3 DIMM插座和超低側(cè)高DDR3 DIMM存儲(chǔ)器模塊插座產(chǎn)品組合。超低側(cè)高DDR3 DIMM插座的底座面高僅1.10mm,為業(yè)內(nèi)最低;并且壓接插座的針孔型順應(yīng)引腳更小,有效節(jié)省了寶貴的PCB空間,適用于較高密度的電子線路設(shè)計(jì)。
2013-05-20
Molex 存儲(chǔ)器
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新型電源柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)
高功率電平帶來(lái)更高的系統(tǒng)電壓,轉(zhuǎn)換器內(nèi)所用各種組件的切斷電壓也更高。單通道UCC27531作為一種小型、非隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,它的高電源/輸出驅(qū)動(dòng)電壓范圍為10到35V,讓其成為12V Si MOSFET應(yīng)用和IGBT/SiC FET應(yīng)用的理想選擇。
2013-05-17
IGBT MOSFET 電源柵極驅(qū)動(dòng)器
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