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分析師：車用電池降價格下滑速度將高于預(yù)期
隨著電動車技術(shù)與基礎(chǔ)零組件快速到位，市場研究機構(gòu)預(yù)測做為關(guān)鍵組件車用電池價格可在五年內(nèi)減半；但電池原材料方面瓶頸，可能也會成為車輛電氣化路途上的障礙。到2010年市場需求可望趨于穩(wěn)定，全球車輛銷售額預(yù)計成長6%。
2009-10-28
車用電池 價格下滑 鋰電池
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鋰電工業(yè)將隨風能/太陽能產(chǎn)業(yè)一同迅猛增長
據(jù)Pike市調(diào)公司最近發(fā)布的一份《儲能技術(shù)市場報告》預(yù)測，到2018年，鋰離子電池產(chǎn)業(yè)總值將達到10億美元。過去，鋰離子電池主要被用于電子產(chǎn)品， 最近幾年電動汽車產(chǎn)品中也開始啟用這種電池，不過Pike公司預(yù)測，未來這種電池很可能會被使用到風能，太陽能等非常規(guī)供電方案中去，一旦如此，鋰離子電池...
2009-10-27
風能 太陽能 鋰離子電池 硫化鈉電池技術(shù)
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3RG7 BERO:西門子光電式傳感器
光電式傳感器非接觸地探測物體，廣泛用于許多自動化領(lǐng)域，如管理系統(tǒng)、機械制造、包裝工業(yè)等。 西門子為這些不同的應(yīng)用領(lǐng)域提供了極大范圍的產(chǎn)品，從直徑只有4 mm、可探測距離50mm的BERO微型接近開關(guān)到傳輸距離達25 m耐用方形K80傳感器，再到極精密的BERO激光傳感器，傳輸距離達50 m。
2009-10-27
3RG7 BERO 傳感器 光電傳感器 激光傳感器 西門子
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太陽能“處女地” 交通成優(yōu)勢
大陸官方積極推動綠色能源應(yīng)用，內(nèi)需商機大開，臺灣業(yè)者積極西進設(shè)點，看好的就是龐大的內(nèi)需市場商機。聯(lián)電集團這次更大動作把薄膜太陽能電池與系統(tǒng)布局同時押寶山東，更讓臺灣太陽能廠進軍大陸受到矚目。
2009-10-27
太陽能 交通 內(nèi)需市場 處女地
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國家將收緊多晶硅項目再融資
國家發(fā)改委產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)司司長陳斌10月15日表示，為了引導多晶硅產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展，避免產(chǎn)業(yè)過度競爭，促進節(jié)能減排，國家將多晶硅產(chǎn)業(yè)列為產(chǎn)能過剩的行業(yè)，將控制多晶硅項目的再融資。而最近，中國證監(jiān)會也向國家發(fā)改委移交了部分關(guān)于企業(yè)融資的審查權(quán)，以控制多晶硅等企業(yè)的再融資
2009-10-27
國家發(fā)改委 多晶硅 再融資
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降壓轉(zhuǎn)換器電流取樣電阻三種位置的選擇
本文介紹了電流模式降壓轉(zhuǎn)換器的電流取樣電阻放置的三種位置，即輸入端、輸出端及續(xù)流管，同時詳細地說明了這三種位置各自的優(yōu)點及缺點，還闡述了由此而產(chǎn)生的峰值電流模式和谷點電流模式的工作原理，以及它們各自的工作特性。本文也給出了使用高端主開關(guān)管導通電阻、低端同步開關(guān)管導通電阻，以及...
2009-10-26
降壓轉(zhuǎn)換器 峰值電流模式 谷點電流模式
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基于MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)設(shè)計優(yōu)化的驅(qū)動電路
功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導通電阻小等優(yōu)點，因此在開關(guān)電源，馬達控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來越廣。通常在實際的設(shè)計過程中，電子工程師對其的驅(qū)動電路以及驅(qū)動電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關(guān)注，尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結(jié)構(gòu)去考慮驅(qū)動電路的設(shè)計，導致在實際的應(yīng)用中，MOSFET產(chǎn)生一定...
2009-10-26
MOSFET 驅(qū)動電路
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電動車無刷電機超靜音控制器設(shè)計----基于高速A/D實現(xiàn)精準電流補償
本文根據(jù)直流永磁無刷電動機的轉(zhuǎn)矩特性，分析了在電機運行中產(chǎn)生脈動轉(zhuǎn)矩的原因，并針對換相電流引起轉(zhuǎn)矩脈動進行了優(yōu)化設(shè)計，在實際應(yīng)用中取得了較好的效果。
2009-10-26
直流永磁無刷電機 轉(zhuǎn)矩脈動 電流補償
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帶有內(nèi)置ESD保護的MOSFET
CMLDM7003是一種雙通道N溝道的增強模式MOSFET，帶有內(nèi)置的2kV ESD保護。它帶有兩個獨立的50V，280mA的MOSFET，在每個器件的源極和柵極之間帶有瞬變電壓抑制柵。該器件的導通電阻RDS(on)在50mA，1.8V時是3.0歐姆
2009-10-26
CMLDM7003 MOSFET ESD保護
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