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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開關(guān)
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開關(guān)
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中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%
在歐盟《關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實施近三年后，中國版WEEE出臺。條例對制造商有很多保護措施，而金融危機的到來讓該條例正式實施的時間推遲到2011年元旦。中國版的WEEE在多次征求意見和修改后對生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中國版WEEE WEEE 關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令 廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理條例
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中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%
在歐盟《關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實施近三年后，中國版WEEE出臺。條例對制造商有很多保護措施，而金融危機的到來讓該條例正式實施的時間推遲到2011年元旦。中國版的WEEE在多次征求意見和修改后對生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中國版WEEE WEEE 關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令 廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理條例
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中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%
在歐盟《關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實施近三年后，中國版WEEE出臺。條例對制造商有很多保護措施，而金融危機的到來讓該條例正式實施的時間推遲到2011年元旦。中國版的WEEE在多次征求意見和修改后對生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中國版WEEE WEEE 關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令 廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理條例
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2009年全球智能手機將會獲得強勁增長
In-Stat公司最新的研究報告指出，到2013年全球智能手機的市場份額將會占到整個手機市場的20%，同時今年全球智能手機將會獲得強勁增長。
2009-03-12
智能手機 iPhone Magic
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CM1235/6：California Micro Devices兩款最新ESD保護器件
California Micro Devices宣布 XtremeESD(R) 系列新添兩款 ESD（靜電放電）保護器件CM1235 和 CM1236。這兩款器件都整合了獲獎的 PicoGuard XS 架構(gòu)，該架構(gòu)擁有整合的阻抗匹配和更高的 ESD 性能。
2009-03-11
CM1235 CM1236 ESD保護器件
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CM1235/6：California Micro Devices兩款最新ESD保護器件
California Micro Devices宣布 XtremeESD(R) 系列新添兩款 ESD（靜電放電）保護器件CM1235 和 CM1236。這兩款器件都整合了獲獎的 PicoGuard XS 架構(gòu)，該架構(gòu)擁有整合的阻抗匹配和更高的 ESD 性能。
2009-03-11
CM1235 CM1236 ESD保護器件
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京瓷（天津）太陽能有限公司即將建設(shè)新廠房
京瓷（天津）太陽能有限公司是京瓷株式會社位于中國天津市的太陽能電池組件生產(chǎn)基地。為了擴大該廠的生產(chǎn)能力，京瓷株式會社（社長：川村誠）即將為其建設(shè)新的廠房。
2009-03-11
京瓷 新廠房 產(chǎn)能 亞洲市場
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