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ACM6753 無(wú)霍爾傳感器三相正弦波控制直流無(wú)刷電機(jī)BLDC馬達(dá)驅(qū)動(dòng)IC解決方案
提到直流無(wú)刷電機(jī)，那不得不提的就是有刷電機(jī)了。有刷電機(jī)有一個(gè)比較令人討厭的缺點(diǎn)：那就是“吵”。因?yàn)殡娝⒑蛽Q向環(huán)需要時(shí)刻不停地摩擦，才能給電樞供電。所以，如果你想要一個(gè)“靜音風(fēng)扇”的話，肯定不能選使用了有刷電機(jī)的產(chǎn)品。無(wú)刷直流電機(jī)是在有刷直流電動(dòng)機(jī)的基礎(chǔ)上發(fā)展來(lái)的，具有無(wú)極調(diào)速、調(diào)速范圍廣、過(guò)載能力強(qiáng)、線性度好、壽命長(zhǎng)、體積小、重量輕、出力大等優(yōu)點(diǎn)，解決了有刷電機(jī)存在的一系列問(wèn)題，廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、儀器儀表、家用電器、機(jī)器人、醫(yī)療設(shè)備等各個(gè)領(lǐng)域。
2023-01-14
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高壓柵極驅(qū)動(dòng)IC自舉電路的設(shè)計(jì)與應(yīng)用指南
本文講述了一種運(yùn)用功率型MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)高性能自舉式柵極驅(qū)動(dòng)電路的系統(tǒng)方法，適用于高頻率，大功率及高效率的開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合。不同經(jīng)驗(yàn)的電力電子工程師們都能從中獲益。在大多數(shù)開關(guān)應(yīng)用中，開關(guān)功耗主要取決于開關(guān)速度。因此，對(duì)于絕大部分本文闡述的大功率開關(guān)應(yīng)用，開關(guān)特性是非常重要的。
2023-01-13
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熱插拔控制器改善了電源排序
對(duì)于許多系統(tǒng)，電源電壓必須按一定的順序施加，以防止電路損壞。過(guò)去，這項(xiàng)任務(wù)是通過(guò)分立電路實(shí)現(xiàn)的，但現(xiàn)代熱插拔控制器IC提供了一種替代方案，可以簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并提高電源排序器的性能。
2023-01-13
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小而薄的MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC更適合小型化應(yīng)用
電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換都需要負(fù)載開關(guān)，它可以減小待機(jī)模式下的漏電流，抑制浪涌電流，實(shí)現(xiàn)斷電控制。負(fù)載開關(guān)的作用是開啟和關(guān)閉電源軌，大部分負(fù)載開關(guān)包含四個(gè)引腳：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。當(dāng)通過(guò)ON引腳使能器件時(shí)，導(dǎo)通FET接通，從而使電流從輸入引腳流向輸出引腳，將電能傳遞到下游電路。
2023-01-12
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25kW電動(dòng)汽車SiC直流快充設(shè)計(jì)指南：經(jīng)驗(yàn)總結(jié)
在我們的系列參考設(shè)計(jì)文檔中，我們?cè)敿?xì)描述了25 kW直流快充模塊的開發(fā)過(guò)程。本白皮書則主要探討25 kW直流快充模塊的開發(fā)和測(cè)試中硬件和固件設(shè)計(jì)以及調(diào)試階段的技巧與訣竅。我們將介紹如何測(cè)試和微調(diào)去飽和保護(hù)功能，分析SiC MOSFET漏極電壓振鈴的原因，以及添加緩沖電容的好處。此外還考慮如何在環(huán)回測(cè)試中使用比待測(cè)器件(DUT)功率更低的設(shè)備來(lái)測(cè)試DUT。最后，我們將討論相移雙有源橋控制算法設(shè)計(jì)。
2023-01-11
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使用即插即用的D類放大器輕松實(shí)現(xiàn)可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)音頻
耗電顯示器不是與電池供電的便攜式、可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備接口的最有效媒介。因此，低功耗音頻正迅速成為一種更受歡迎的替代品。在本設(shè)計(jì)解決方案中，我們回顧了D類數(shù)字音頻放大器，并討論了一些當(dāng)前解決方案的限制，然后介紹了一種巧妙封裝的IC，該IC需要最少的配置即可快速為這些應(yīng)用帶來(lái)高質(zhì)量的音頻。
2023-01-11
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滿足高度緊湊型1500-V并網(wǎng)逆變器需求的新型ANPC功率模塊
本文提出了一種優(yōu)化的ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)支持最新的1200-V SiC T-MOSFET與IGBT技術(shù)優(yōu)化組合，實(shí)現(xiàn)成本效益。市場(chǎng)上將推出一款采用全集成ANPC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的新型功率模塊，適用于高度緊湊型、高效率1500-V并網(wǎng)逆變器。新開發(fā)的Easy3B功率模塊在48kHz頻率條件下，可以實(shí)現(xiàn)輸出功率達(dá)到200kW以上。此外，相應(yīng)的P-Q圖幾乎呈圓形。這意味著，該功率模塊適用于儲(chǔ)能系統(tǒng)等新興應(yīng)用。
2023-01-10
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車規(guī)碳化硅功率模塊 - 襯底和外延篇
中國(guó)汽車工業(yè)協(xié)會(huì)最新數(shù)據(jù)顯示，2022年1月至11月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成625.3萬(wàn)輛和606.7萬(wàn)輛，同比均增長(zhǎng)1倍，市場(chǎng)占有率達(dá)到25%。由此可見(jiàn)新能源汽車的發(fā)展已經(jīng)進(jìn)入了快車道。在這里我們注意到，由于里程焦慮和快速充電的要求，800V 電池母線系統(tǒng)獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線系統(tǒng)，讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模塊，由于碳化硅得天獨(dú)厚的優(yōu)勢(shì)，使得它非常適合用來(lái)制造高耐壓、高結(jié)溫、高速的MOSFET，這三高恰好契合了800V母線系統(tǒng)對(duì)于核心的功率器件的要求。安森美(onsemi)非?？春?00V母線系統(tǒng)的發(fā)展，有一些研究機(jī)構(gòu)，預(yù)測(cè)截至到2026年，SiC在整個(gè)功率器件市場(chǎng)的占比將達(dá)到12%以上。
2023-01-10
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艾邁斯歐司朗與Quadric達(dá)成合作，攜智能圖像傳感器亮相CES展會(huì)
全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗與端側(cè)AI機(jī)器學(xué)習(xí)處理器IP創(chuàng)新者Quadric宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作，雙方將聯(lián)合開發(fā)集成傳感模塊，結(jié)合艾邁斯歐司朗前沿的Mira系列可見(jiàn)光和紅外光CMOS傳感器與Quadric新型Chimera? GPNPU處理器。這些模塊實(shí)現(xiàn)超低功耗，雙方的融合將為可穿戴設(shè)備、機(jī)器人、工業(yè)及安防市場(chǎng)提供創(chuàng)新的智能傳感方案。合作產(chǎn)品已在2023年1月5日至8日拉斯維加斯CES展會(huì)首次亮相，并進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)演示。
2023-01-09
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安森美和Ampt攜手合作，助力光伏電站供應(yīng)商提高能效
2023年1月6日 — 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，和世界頭號(hào)大型光伏（PV）太陽(yáng)能和儲(chǔ)能系統(tǒng)直流優(yōu)化器公司Ampt LLC宣布攜手合作，以滿足市場(chǎng)對(duì)直流組串優(yōu)化器的高需求。Ampt在其直流組串優(yōu)化器中使用了安森美的EliteSiC系列碳化硅（SiC）技術(shù)之N溝道SiC MOSFET，用于關(guān)鍵的功率開關(guān)應(yīng)用。
2023-01-07
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數(shù)字控制回路的模擬組件（模擬控制器轉(zhuǎn)向易于編程的數(shù)字控制環(huán)路）
移動(dòng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 電氣和電子系統(tǒng)的加速部署，加上上市時(shí)間窗口的縮短，導(dǎo)致需要對(duì)支持它們的 IC 進(jìn)行更快速、更低成本的測(cè)試。
2023-01-06
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集成電路發(fā)展策略與內(nèi)外環(huán)境認(rèn)知
近年來(lái)，集成電路行業(yè)處在風(fēng)口浪尖，備受關(guān)注。在剛剛結(jié)束的2022 ICS集成電路峰會(huì)上，魏少軍教授、李珂先生等行業(yè)專家給出了他們的觀點(diǎn)，用事實(shí)和數(shù)據(jù)說(shuō)明，在成熟的集成電路工藝和EDA工具上實(shí)現(xiàn)芯片產(chǎn)品創(chuàng)新，并不需要最先進(jìn)的工藝，追求能量效率這個(gè)指標(biāo)，就能實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品創(chuàng)新特色。說(shuō)到美國(guó)單向脫鉤，表示我們不想脫鉤，就會(huì)出現(xiàn)半脫鉤，美國(guó)要確保領(lǐng)先中國(guó)二代半導(dǎo)體技術(shù)。2023年他們會(huì)加大對(duì)中國(guó)遏制，不會(huì)減緩，只會(huì)加強(qiáng)。本期文章根據(jù)各位專家的觀點(diǎn)，從成熟技術(shù)創(chuàng)新，供應(yīng)鏈安全，補(bǔ)人才短板，半脫鉤下策略發(fā)展四個(gè)方面來(lái)看集成電路發(fā)展策略與內(nèi)外環(huán)境認(rèn)知。
2023-01-06
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