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三星SDI將在移動娛樂市場推出5英寸以上的有機(jī)EL面板
據(jù)日經(jīng)BP社報道，日前在東京都內(nèi)舉行的“第三屆TSR研討會”上，韓國三星SDI移動顯示器營銷部（Mobile Display Marketing Team）副總裁Woo Jong Lee發(fā)表主題演講，展望了面向移動設(shè)備的有源矩陣型有機(jī)EL面板的前景。
2008-12-05
有機(jī)EL面板 有源矩陣柔 性顯示器 觸摸屏
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三星SDI將在移動娛樂市場推出5英寸以上的有機(jī)EL面板
據(jù)日經(jīng)BP社報道，日前在東京都內(nèi)舉行的“第三屆TSR研討會”上，韓國三星SDI移動顯示器營銷部（Mobile Display Marketing Team）副總裁Woo Jong Lee發(fā)表主題演講，展望了面向移動設(shè)備的有源矩陣型有機(jī)EL面板的前景。
2008-12-05
有機(jī)EL面板 有源矩陣柔 性顯示器 觸摸屏
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三星SDI將在移動娛樂市場推出5英寸以上的有機(jī)EL面板
據(jù)日經(jīng)BP社報道，日前在東京都內(nèi)舉行的“第三屆TSR研討會”上，韓國三星SDI移動顯示器營銷部（Mobile Display Marketing Team）副總裁Woo Jong Lee發(fā)表主題演講，展望了面向移動設(shè)備的有源矩陣型有機(jī)EL面板的前景。
2008-12-05
有機(jī)EL面板 有源矩陣柔 性顯示器 觸摸屏
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比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)
比亞迪電子宣布向大股東比亞迪集團(tuán)收購主要用于生產(chǎn)手機(jī)金屬部件的設(shè)備，總代價9,286.3萬元人民幣，另外，公司將向比亞迪集團(tuán)出售供生產(chǎn)耳機(jī)及切割液晶顯示屏保護(hù)膜的設(shè)備，總代價4,291.4萬元人民幣。
2008-12-05
手機(jī)金屬部件 液晶顯示屏保護(hù)膜 鋰電池 柔性印制電路板
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比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)
比亞迪電子宣布向大股東比亞迪集團(tuán)收購主要用于生產(chǎn)手機(jī)金屬部件的設(shè)備，總代價9,286.3萬元人民幣，另外，公司將向比亞迪集團(tuán)出售供生產(chǎn)耳機(jī)及切割液晶顯示屏保護(hù)膜的設(shè)備，總代價4,291.4萬元人民幣。
2008-12-05
手機(jī)金屬部件 液晶顯示屏保護(hù)膜 鋰電池 柔性印制電路板
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比亞迪電子與大股東轉(zhuǎn)讓資產(chǎn)
比亞迪電子宣布向大股東比亞迪集團(tuán)收購主要用于生產(chǎn)手機(jī)金屬部件的設(shè)備，總代價9,286.3萬元人民幣，另外，公司將向比亞迪集團(tuán)出售供生產(chǎn)耳機(jī)及切割液晶顯示屏保護(hù)膜的設(shè)備，總代價4,291.4萬元人民幣。
2008-12-05
手機(jī)金屬部件 液晶顯示屏保護(hù)膜 鋰電池 柔性印制電路板
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Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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Vishay推出采用TurboFET技術(shù)第三代功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出兩款 20V 和兩款 30V n 通道器件，從而擴(kuò)展其第三代 TrenchFET 功率 MOSFET 系列。這些器件首次采用 TurboFET技術(shù)，利用新電荷平衡漏結(jié)構(gòu)將柵極電荷降低多達(dá) 45%，從而大幅降低切換損耗及提高切換速度。
2008-12-05
SiS426DN SiR496DP Si7718DN Si7784DP TrenchFET 功率MOSFET MOSFET
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