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4G競(jìng)逐大戲已經(jīng)開(kāi)場(chǎng) 推廣標(biāo)準(zhǔn)是關(guān)鍵
從3G到4G，從追隨者變?yōu)橛螒蛞?guī)則制定者，中國(guó)正一步步建立自己的移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)體系。由中國(guó)主導(dǎo)的TD-LTE在1月18日正式成為4G國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，這意味著下一代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)的全球征戰(zhàn)正式開(kāi)場(chǎng)。但制定標(biāo)準(zhǔn)只是開(kāi)始，推廣標(biāo)準(zhǔn)才是關(guān)鍵。只有以標(biāo)準(zhǔn)為支點(diǎn)，占據(jù)全球競(jìng)爭(zhēng)的制高點(diǎn)，從而撬動(dòng)整個(gè)國(guó)家產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略的轉(zhuǎn)...
2012-02-22
4G 標(biāo)準(zhǔn)
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IHS：住宅網(wǎng)關(guān)將取代機(jī)頂盒
據(jù)IHS iSuppli公司的消費(fèi)平臺(tái)專(zhuān)題報(bào)告，預(yù)計(jì)住宅網(wǎng)關(guān)將取代機(jī)頂盒，成為數(shù)字客廳中的新中心，該網(wǎng)關(guān)市場(chǎng)從2012到2015年將增長(zhǎng)兩倍。
2012-02-22
住宅網(wǎng)關(guān) 機(jī)頂盒 數(shù)字客廳
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DIGITIMES Research：TSV 3D IC面臨諸多挑戰(zhàn)
TSV 3D IC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術(shù)水準(zhǔn)皆尚未成熟情況下，TSV 3D IC技術(shù)發(fā)展速度可說(shuō)是相當(dāng)緩慢，DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，直至2007年?yáng)|芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術(shù)加以堆棧推出體積更小的鏡頭模塊后，才正式揭開(kāi)TSV 3D IC實(shí)用...
2012-02-22
TSV 3D IC 半導(dǎo)體
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DIGITIMES Research：TSV 3D IC面臨諸多挑戰(zhàn)
TSV 3D IC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術(shù)水準(zhǔn)皆尚未成熟情況下，TSV 3D IC技術(shù)發(fā)展速度可說(shuō)是相當(dāng)緩慢，DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，直至2007年?yáng)|芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術(shù)加以堆棧推出體積更小的鏡頭模塊后，才正式揭開(kāi)TSV 3D IC實(shí)用...
2012-02-22
TSV 3D IC 半導(dǎo)體
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STGIPN3H60/A：ST推出小尺寸低干擾SLLIMM微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體，擴(kuò)大SLLIMM(低損耗智能微型模壓模塊)產(chǎn)品系列，推出兩款新的能夠提高家電能效等級(jí)的微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊——STGIPN3H60和STGIPN3H60A。
2012-02-21
STGIPN3H60 STGIPN3H60A ST SLLIMM 微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊
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STGIPN3H60/A：ST推出小尺寸低干擾SLLIMM微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體，擴(kuò)大SLLIMM(低損耗智能微型模壓模塊)產(chǎn)品系列，推出兩款新的能夠提高家電能效等級(jí)的微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊——STGIPN3H60和STGIPN3H60A。
2012-02-21
STGIPN3H60 STGIPN3H60A ST SLLIMM 微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊
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Si8497DB/Si8487DB：Vishay推出小尺寸低導(dǎo)通電阻MOSFET
Vishay宣布引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級(jí)MOSFET，是目前市場(chǎng)上尺寸最小的此類(lèi)器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸...
2012-02-21
Si8497DB Si8487DB Vishay MOSFET
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Si8497DB/Si8487DB：Vishay推出小尺寸低導(dǎo)通電阻MOSFET
Vishay宣布引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級(jí)MOSFET，是目前市場(chǎng)上尺寸最小的此類(lèi)器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸...
2012-02-21
Si8497DB Si8487DB Vishay MOSFET
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AMOLED電視面臨成本困擾 2015年出貨量將達(dá)210萬(wàn)臺(tái)
據(jù)IHS iSuppli公司的中小顯示器研究報(bào)告，2015年全球AMOLED電視出貨量預(yù)計(jì)將達(dá)到210萬(wàn)臺(tái)，而2012年只有3.4萬(wàn)臺(tái)。雖然增幅巨大，但到2015年AMOLED電視在全球平板電視市場(chǎng)中的份額仍然將只有1%。由于制造合格率問(wèn)題，以及原材料成本因供應(yīng)商數(shù)量較小而上漲，未來(lái)幾年AMOLED電視的價(jià)格仍將明顯高于液晶...
2012-02-21
AMOLED AMOLED電視 液晶電視 平板電視
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