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STGIPN3H60/A：ST推出小尺寸低干擾SLLIMM微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體，擴(kuò)大SLLIMM(低損耗智能微型模壓模塊)產(chǎn)品系列，推出兩款新的能夠提高家電能效等級(jí)的微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊——STGIPN3H60和STGIPN3H60A。
2012-02-21
STGIPN3H60 STGIPN3H60A ST SLLIMM 微型電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊
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Si8497DB/Si8487DB：Vishay推出小尺寸低導(dǎo)通電阻MOSFET
Vishay宣布引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級(jí)MOSFET，是目前市場(chǎng)上尺寸最小的此類(lèi)器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸...
2012-02-21
Si8497DB Si8487DB Vishay MOSFET
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Si8497DB/Si8487DB：Vishay推出小尺寸低導(dǎo)通電阻MOSFET
Vishay宣布引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級(jí)MOSFET，是目前市場(chǎng)上尺寸最小的此類(lèi)器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸...
2012-02-21
Si8497DB Si8487DB Vishay MOSFET
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AMOLED電視面臨成本困擾 2015年出貨量將達(dá)210萬(wàn)臺(tái)
據(jù)IHS iSuppli公司的中小顯示器研究報(bào)告，2015年全球AMOLED電視出貨量預(yù)計(jì)將達(dá)到210萬(wàn)臺(tái)，而2012年只有3.4萬(wàn)臺(tái)。雖然增幅巨大，但到2015年AMOLED電視在全球平板電視市場(chǎng)中的份額仍然將只有1%。由于制造合格率問(wèn)題，以及原材料成本因供應(yīng)商數(shù)量較小而上漲，未來(lái)幾年AMOLED電視的價(jià)格仍將明顯高于液晶...
2012-02-21
AMOLED AMOLED電視 液晶電視 平板電視
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平板產(chǎn)業(yè)將有望通過(guò)其周期性的市場(chǎng)特性來(lái)恢復(fù)自身發(fā)展
“平板產(chǎn)業(yè)將有望通過(guò)其周期性的市場(chǎng)特性來(lái)恢復(fù)自身發(fā)展。”NPD DisplaySearch制造研究副總裁Charles Annis表示，“2012年和2013年面板產(chǎn)能擴(kuò)張已明顯遲延，加上持續(xù)增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求將有望推動(dòng)產(chǎn)業(yè)朝更為健康的方向發(fā)展?！?/p>
2012-02-21
平板 面板 液晶面板 液晶電視
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平板產(chǎn)業(yè)將有望通過(guò)其周期性的市場(chǎng)特性來(lái)恢復(fù)自身發(fā)展
“平板產(chǎn)業(yè)將有望通過(guò)其周期性的市場(chǎng)特性來(lái)恢復(fù)自身發(fā)展。”NPD DisplaySearch制造研究副總裁Charles Annis表示，“2012年和2013年面板產(chǎn)能擴(kuò)張已明顯遲延，加上持續(xù)增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求將有望推動(dòng)產(chǎn)業(yè)朝更為健康的方向發(fā)展。”
2012-02-21
平板 面板 液晶面板 液晶電視
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開(kāi)關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn)，近年來(lái)在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是，IGBT的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路影響IGBT的通態(tài)壓降...
2012-02-21
EXB841 IGBT驅(qū)動(dòng) 保護(hù)電路
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動(dòng)與保護(hù)電路設(shè)計(jì)
多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開(kāi)關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特點(diǎn)，近年來(lái)在各種電能變換裝置中得到了廣泛應(yīng)用。但是，IGBT的門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路影響IGBT的通態(tài)壓降...
2012-02-21
EXB841 IGBT驅(qū)動(dòng) 保護(hù)電路
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國(guó)產(chǎn)逆變器發(fā)展雖快 國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力仍不足
雖然中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)進(jìn)入低谷，但是，相對(duì)于電池組件及多晶硅產(chǎn)業(yè)而言，光伏并網(wǎng)逆變器仍然被看好，近日印發(fā)的《關(guān)于做好2012年金太陽(yáng)示范工作的通知》也給逆變器等關(guān)鍵設(shè)備帶來(lái)利好。據(jù)IHS iSuppli公司中國(guó)研究部門(mén)的專(zhuān)題報(bào)告顯示，中國(guó)光伏逆變器市場(chǎng)四年內(nèi)將增長(zhǎng)近三倍。中國(guó)逆變器出貨量到2015年將...
2012-02-21
逆變器 光伏
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